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用于制造納米結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：在襯底上生長第一納米線；在襯底上形成電介質(zhì)層，電介質(zhì)層圍繞第一納米線，其中，電介質(zhì)層的厚度小于第一納米線的長度；以及從電介質(zhì)層移除第一納米線，從而暴露電介質(zhì)層中的孔。...該專利屬于慕尼黑科技大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過慕尼黑科技大學授權(quán)不得商用。