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本申請公開了一種半導體裝置的制造方法，涉及半導體技術領域。所述方法包括：提供襯底結構，所述襯底結構包括：襯底；在所述襯底上用于MOS器件的鰭片；在所述襯底上位于所述鰭片周圍的隔離區，所述隔離區的上表面低于所述鰭片的上表面；在所述隔離區和所述...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司授權不得商用。