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本申請涉及半導體器件和制造半導體器件的方法。在包括非易失性存儲器的半導體器件中，未選定位的存儲器晶體管的信息在信息寫入操作期間被意外擦除。阱區被提供在SOI襯底中限定的塊體區的存儲器區中。具有LDD區和擴散層的存儲器晶體管被提供在所述阱區中...
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