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本發明提供了一種基于FPGA的SRAM存儲器單粒子和充放電效應測試系統及方法，包括：測試單元；所述測試單元包括PC機、上位機、下位機、單粒子效應模擬源、充放電效應模擬源、電磁屏蔽單元；所述PC機通過串口與上位機相連；所述上位機通過屏蔽線與下...
該專利屬于上海衛星裝備研究所所有，僅供學習研究參考，未經過上海衛星裝備研究所授權不得商用。

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