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本發明實施例提供一種半導體結構的制造方法和兩種半導體結構，制造方法包括：提供基底以及硅層，且所述基底暴露出所述硅層頂面；沉積處理，在所述硅層上形成合金層，所述沉積處理在含氮氛圍下進行，且所述含氮氛圍中的氮原子濃度隨沉積處理時間的增加而增加；...
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