溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。
一種金屬－絕緣層－半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，在單晶硅襯底上的立方相ＭｇＺｎＯ薄膜為絕緣層，其器件結(jié)構(gòu)為金屬電極－ＭｇＺｎＯ晶體薄膜－Ｓｉ單晶－金屬電極或金屬電極－ＭｇＺｎＯ晶體薄膜－ＳｉＯ↓［２］－Ｓｉ單晶－金屬電極。...該專利屬于中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所有，僅供學(xué)習研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所授權(quán)不得商用。