溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
在具有銅互連和低ｋ層間電介質的集成電路中，發現熱處理后開路的問題，通過Ｔｉ第一襯層（４２）、隨后的ＣＶＤ ＴｉＮ保形襯層（４６）、依次隨后的ＴＡ或ＴａＮ最終襯層（４８）解決該問題，從而增強通孔和底銅層之間的粘附力，同時把由Ｔｉ和銅之間合金...該專利屬于國際商業機器公司;英芬能技術北美公司所有，僅供學習研究參考，未經過國際商業機器公司;英芬能技術北美公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
在具有銅互連和低ｋ層間電介質的集成電路中，發現熱處理后開路的問題，通過Ｔｉ第一襯層（４２）、隨后的ＣＶＤ ＴｉＮ保形襯層（４６）、依次隨后的ＴＡ或ＴａＮ最終襯層（４８）解決該問題，從而增強通孔和底銅層之間的粘附力，同時把由Ｔｉ和銅之間合金...