溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本公開的實施例提供一種去除研磨殘留物的方法及對準標記的形成方法。所述去除研磨殘留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介質層，所述介質層中形成溝槽；在所述介質層表面形成導電層，所述導電層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁；在所述導電層表面形成反應...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本公開的實施例提供一種去除研磨殘留物的方法及對準標記的形成方法。所述去除研磨殘留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介質層，所述介質層中形成溝槽；在所述介質層表面形成導電層，所述導電層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁；在所述導電層表面形成反應...