本公開的實施例提供一種去除研磨殘留物的方法及對準標記的形成方法。所述去除研磨殘留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介質層，所述介質層中形成溝槽；在所述介質層表面形成導電層，所述導電層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁；在所述導電層表面形成反應層，所述反應層厚度小于導電層；對所述導電層和所述反應層進行研磨，以便暴露出溝槽區域之外的介質層；對所述介質層和所述溝槽進行清洗，以便去除研磨殘留雜質和所述反應層。通過本公開的實施例提供的方法，可以去除研磨殘留雜質，保護對準標記的形成，使后續光刻過程的對準精確，不影響半導體的后續制程。不影響半導體的后續制程。不影響半導體的后續制程。
【技術實現步驟摘要】
一種去除研磨殘留物的方法及對準標記的形成方法
[0001]本公開涉及半導體制造領域，尤其涉及一種去除研磨殘留物的方法以及對準標記的形成方法。
技術介紹
[0002]在半導體工藝中，經常需要對形成的膜層進行研磨，比如采用CMP工藝進行研磨，但是研磨后的殘留物難以去除。
[0003]具體地，在對準標記的形成中，由于形成的溝槽較深，而研磨過程中會形成很多殘留雜質，形成缺陷。并且研磨殘留雜質會進入對準標記溝槽，常規的研磨后清洗通常不能完全洗凈雜質，將會影響后續光刻的對準。
技術實現思路
[0004]本公開的實施例提供一種去除研磨殘留物的方法，去除研磨殘留雜質，保護對準標記的形成，使后續光刻過程的對準準確，不影響半導體的后續制程。
[0005]本公開的實施例所述的一種去除研磨殘留物的方法，包括：提供基底，所述基底表面形成介質層，所述介質層中形成溝槽；在所述介質層表面形成導電層，所述導電層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁；在所述導電層表面形成反應層，所述反應層厚度小于所述導電層厚度；對所述導電層和所述反應層進行研磨，以便暴露出溝槽區域之外的介質層；對所述介質層和所述溝槽進行清洗，以便去除研磨殘留雜質和所述反應層。
[0006]在一些實施例中，所述導電層為金屬，所述反應層由氧化物或者氮化物組成。
[0007]在一些實施例中，所述導電層為鎢，所述反應層由氧化物組成，所述氧化物厚度為
[0008]在一些實施例中，所述氧化物包括氧化硅。
[0009]在一些實施例中，所述導電層為鎢，所述反應層由氮化物組成，所述氮化物厚度為
[0010]在一些實施例中，所述氮化物包括氮化硅。
[0011]在一些實施例中，所述去除研磨殘留物的方法，還包括：在形成所述導電層之前，在所述介質層表面形成黏附層，所述黏附層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁。
[0012]在一些實施例中，所述對所述介質層和所述溝槽進行清洗包括：第一清洗，以便去除研磨殘留物以及全部反應層；以及第二清洗，以便去除第一清洗的殘留。
[0013]在一些實施例中，所述反應層由氧化物組成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氫氟酸溶液，所述稀氫氟酸溶液的濃度為0.9％～1.1％，所述稀氫氟酸溶液溫度為25℃～30℃，所述第一清洗時間為25s～35s。
[0014]在一些實施例中，所述反應層由氮化物組成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氫氟酸溶液，所述稀氫氟酸溶液的濃度為8.9％～9.1％，所述稀氫氟酸溶液溫度為25℃～30℃，所述第一清洗時間為8s～10s。
[0015]在一些實施例中，所述第二清洗通過超聲波和去離子水對所述介質層和所述溝槽進行沖洗，所述第二清洗使用的超聲設備的主機轉速為1200rpm～1500rpm，所述第二清洗時間為90s～110s。
[0016]本公開的實施例還提供一種對準標記的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成介質層，所述介質層中形成溝槽；在所述介質層表面形成第一金屬層，所述第一金屬層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁；在所述第一金屬層表面形成反應層，所述反應層厚度小于所述第一金屬層厚度；對所述第一金屬層和所述反應層進行研磨，以便暴露出溝槽區域之外的介質層；對所述介質層和所述溝槽進行清洗，以便去除研磨殘留雜質和所述反應層，暴露出所述溝槽的底部和內側壁的第一金屬層；在所述溝槽底部和內側壁的第一金屬層上形成第二金屬層。
[0017]在一些實施例中，所述反應層由氧化物或者氮化物組成。
[0018]在一些實施例中，所述反應層由氧化物組成，所述氧化物厚度為
[0019]在一些實施例中，所述第一金屬層由鎢組成，所述氧化物包括氧化硅。
[0020]在一些實施例中，所述反應層由氮化物組成，所述氮化物厚度為
[0021]在一些實施例中，所述第一金屬層由鎢組成，所述氮化物包括氮化硅。
[0022]在一些實施例中，所述對準標記的形成方法，還包括：在形成所述第一金屬層之前，在所述介質層表面形成黏附層，所述黏附層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁。
[0023]在一些實施例中，所述對所述介質層和所述溝槽進行清洗，包括：第一清洗，以便去除研磨殘留物以及全部反應層；以及第二清洗，以便去除第一清洗的殘留。
[0024]在一些實施例中，所述反應層由氧化物組成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氫氟酸溶液，所述稀氫氟酸溶液的濃度為0.9％～1.1％，所述稀氫氟酸溶液溫度為25℃～30℃，所述第一清洗時間為25s～35s。
[0025]在一些實施例中，所述反應層由氮化物組成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氫氟酸溶液，所述稀氫氟酸溶液的濃度為8.9％～9.1％，所述稀氫氟酸溶液溫度為25℃～30℃，所述第一清洗時間為8s～10s。
[0026]在一些實施例中，所述第二清洗通過超聲波和去離子水對所述介質層和所述溝槽進行沖洗，所述第二清洗使用的超聲設備的主機轉速為1200rpm～1500rpm，所述第二清洗時間為90s～110s。
[0027]與現有技術相比，本公開的實施例的技術方案具有以下有益效果：
[0028]本公開的實施例提供的去除研磨殘留物的方法，通過形成反應層，在后續清洗過程，使得去除研磨殘留雜質更為容易，使得溝槽內基本無殘留雜質，不影響后續形成過程。
[0029]本公開的實施例提供的對準標記的形成方法，通過形成反應層，在后續清洗過程，使得去除研磨殘留雜質更為容易，保證了對準標記基本無缺陷，使后續半導體制程可以順利進行。
附圖說明
[0030]本公開的其它特征以及優點將通過以下結合附圖詳細描述的可選實施方式更好地理解，附圖中相同的標記表示相同或相似的部件，其中：
[0031]圖1示出了本公開的一個實施例的去除研磨殘留物方法的流程示意圖；
[0032]圖2
?
6示出了本公開的一個實施例去除研磨殘留物過程的中間結構示意圖；
[0033]圖7示出了本公開的一個實施例的形成對準標記方法的流程示意圖；
[0034]圖8示出了本公開的實施例中對準標記的結構示意圖。
具體實施方式
[0035]下面詳細描述本公開的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出。在附圖中，相同或相似的標號表示相同或相似的元件或具有相同或相似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本公開，而不能理解為對本公開的限制。
[0036]除非另作定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。在本公開的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本公開和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本公開的限制。
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種去除研磨殘留物的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成介質層，所述介質層中形成溝槽；在所述介質層表面形成導電層，所述導電層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁；在所述導電層表面形成反應層，所述反應層厚度小于所述導電層厚度；對所述導電層和所述反應層進行研磨，以便暴露出溝槽區域之外的介質層；對所述介質層和所述溝槽進行清洗，以便去除研磨殘留雜質和所述反應層。2.根據權利要求1所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述導電層為金屬，所述反應層由氧化物或者氮化物組成。3.根據權利要求2所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述導電層為鎢，所述反應層由氧化物組成，所述氧化物厚度為4.根據權利要求3所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述氧化物包括氧化硅。5.根據權利要求2所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述導電層為鎢，所述反應層由氮化物組成，所述氮化物厚度為6.根據權利要求5所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述氮化物包括氮化硅。7.根據權利要求1所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，還包括：在形成所述導電層之前，在所述介質層表面形成黏附層，所述黏附層覆蓋所述溝槽的底部和內側壁。8.根據權利要求1
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7任一項所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述對所述介質層和所述溝槽進行清洗包括：第一清洗，以便去除研磨殘留物以及全部反應層；以及第二清洗，以便去除第一清洗的殘留。9.根據權利要求8所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述反應層由氧化物組成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氫氟酸溶液，所述稀氫氟酸溶液的濃度為0.9％～1.1％，所述稀氫氟酸溶液溫度為25℃～30℃，所述第一清洗時間為25s～35s。10.根據權利要求8所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述反應層由氮化物組成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氫氟酸溶液，所述稀氫氟酸溶液的濃度為8.9％～9.1％，所述稀氫氟酸溶液溫度為25℃～30℃，所述第一清洗時間為8s～10s。11.根據權利要求8所述的去除研磨殘留物的方法，其特征在于，所述第二清洗通過超聲波和去離子水對所述介質層和所述溝槽進行沖洗，所述第二清洗使用的超聲設備的主機轉速為1200rpm～1500rpm，所述第二清洗時間為90s～110s。12.一種對準標記的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成介質層...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張超逸，吳建榮，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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