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一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有柵極材料層，基底包括用于形成第一晶體管的第一器件區、用于形成第二晶體管的第二器件區，第一晶體管的溝道長度大于第二晶體管的溝道長度；在第一器件區的柵極材料層上形成分立的初始掩膜層；形成初始...該專利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（北京）有限公司授權不得商用。
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一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有柵極材料層，基底包括用于形成第一晶體管的第一器件區、用于形成第二晶體管的第二器件區，第一晶體管的溝道長度大于第二晶體管的溝道長度；在第一器件區的柵極材料層上形成分立的初始掩膜層；形成初始...