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本技術涉及化學氣相沉積生長技術領域，尤其涉及一種金剛石生長基臺。一種金剛石生長基臺，包括冷卻支撐臺，冷卻支撐臺的上表面為支撐面，金剛石生長基臺還包括用于貼合覆蓋在冷卻支撐臺的支撐面上的導熱板，導熱板與冷卻支撐臺分體獨立設置，導熱板的上表面用...該專利屬于河南天璇半導體科技有限責任公司所有，僅供學習研究參考，未經過河南天璇半導體科技有限責任公司授權不得商用。
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