【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本技術涉及化學氣相沉積生長，尤其涉及一種金剛石生長基臺。
技術介紹
1、金剛石極其優(yōu)良的物理化學性能，在眾多領域受到廣泛的關注和應用，而微波等離子體化學氣相沉積（mpcvd）法因具有無極放電、能量轉換效率高、等離子體純凈等優(yōu)點成為制備高品質(zhì)單晶金剛石的首選方法，由于高品質(zhì)單晶金剛石生長需要特殊的生長環(huán)境，對mpcvd設備的功能提出了更高的要求。
2、單晶金剛石片在培育過程中放置在鉬材質(zhì)沉積臺上，鉬材質(zhì)沉積臺包括基片臺和鉬環(huán)，沉積臺下方設置有冷卻支撐臺，基片臺通過和冷卻支撐臺進行熱傳導從而合理控制單晶金剛石片的溫度，單晶金剛石生長時的溫度對合成的質(zhì)量和效率影響重大，因此合理的控制合成反應過程的溫度對于高效制備高品質(zhì)單晶金剛石尤為重要。
3、授權公告號為cn216514120u的技術專利公開了一種基于mpcvd法制備金剛石膜的基片臺，基片臺和鉬托放置在水冷銅臺（即冷卻支撐臺）上，水冷銅臺裝配在整個裝置上，在使用過程中難免會有雜質(zhì)沉積在水冷銅臺上，工作人員在清理操作過程中也可能造成表面損壞，但對銅臺進行拆卸維修操作不便，且損壞后整體更換成本較高，耗費人力物力財力。
技術實現(xiàn)思路
1、本技術的目的在于提供一種金剛石生長基臺，用于解決現(xiàn)有的金剛石生長基臺的水冷銅臺不便從整個裝置中拆下進行清理，直接在裝置內(nèi)進行清理容易損壞表面，且損壞后整體更換成本較高的問題。
2、本技術的金剛石生長基臺采用如下技術方案：一種金剛石生長基臺，包括冷卻支撐臺，冷卻支撐臺的上表面
3、進一步地，所述導熱板為分體式結構，導熱板包括外環(huán)板和內(nèi)圓板，內(nèi)圓板與外環(huán)板的內(nèi)孔適配，內(nèi)圓板的上表面用于支撐沉積臺。
4、進一步地，所述內(nèi)圓板的底部靠近邊緣的位置設置有間隙環(huán)槽以使內(nèi)圓板與冷卻支撐臺之間產(chǎn)生間隙。
5、進一步地，所述間隙環(huán)槽的徑向靠內(nèi)的槽底深度小于徑向靠外的槽底深度。
6、進一步地，所述間隙環(huán)槽為階梯環(huán)槽。
7、進一步地，所述內(nèi)圓板的頂部用于對應支撐基片臺的位置設置有凸臺。
8、進一步地，所述內(nèi)圓板上設置有用于對沉積臺定位以使其保持在中心位置的定位結構。
9、進一步地，所述定位結構為用于與鉬環(huán)的周面定位配合的定位環(huán)槽。
10、進一步地，所述導熱板為銅板。
11、進一步地，所述冷卻支撐臺為銅臺。
12、本技術的金剛石生長基臺為全新設計的金剛石生長基臺，本技術的金剛石生長基臺的有益效果是：金剛石生長基臺包括冷卻支撐臺和導熱板，導熱板放置在冷卻支撐臺上方，兩者分體獨立，導熱板的上表面用于支撐沉積臺，這樣在使用過程中當會有雜質(zhì)沉積在導熱板上或者清理操作過程中造成表面損壞時，可單獨對導熱板拆卸下來進行維護清理或者直接更換，后期清理維護方便，且單獨更換導熱板降低了成本，整體節(jié)省了人力物力財力。
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1.一種金剛石生長基臺，包括冷卻支撐臺，冷卻支撐臺的上表面為支撐面，其特征是，金剛石生長基臺還包括用于貼合覆蓋在冷卻支撐臺的支撐面上的導熱板，導熱板與冷卻支撐臺分體獨立設置，導熱板的上表面用于支撐沉積臺。
2.根據(jù)權利要求1所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述導熱板為分體式結構，導熱板包括外環(huán)板和內(nèi)圓板，內(nèi)圓板與外環(huán)板的內(nèi)孔適配，內(nèi)圓板的上表面用于支撐沉積臺。
3.根據(jù)權利要求2所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述內(nèi)圓板的底部靠近邊緣的位置設置有間隙環(huán)槽以使內(nèi)圓板與冷卻支撐臺之間產(chǎn)生間隙。
4.根據(jù)權利要求3所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述間隙環(huán)槽的徑向靠內(nèi)的槽底深度小于徑向靠外的槽底深度。
5.根據(jù)權利要求4所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述間隙環(huán)槽為階梯環(huán)槽。
6.根據(jù)權利要求2所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述內(nèi)圓板的頂部用于對應支撐基片臺的位置設置有凸臺。
7.根據(jù)權利要求2-6任意一項所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述內(nèi)圓板上設置有用于對沉積臺定位以使其保持在中心位置的定位結構。
<...【技術特征摘要】
1.一種金剛石生長基臺，包括冷卻支撐臺，冷卻支撐臺的上表面為支撐面，其特征是，金剛石生長基臺還包括用于貼合覆蓋在冷卻支撐臺的支撐面上的導熱板，導熱板與冷卻支撐臺分體獨立設置，導熱板的上表面用于支撐沉積臺。
2.根據(jù)權利要求1所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述導熱板為分體式結構，導熱板包括外環(huán)板和內(nèi)圓板，內(nèi)圓板與外環(huán)板的內(nèi)孔適配，內(nèi)圓板的上表面用于支撐沉積臺。
3.根據(jù)權利要求2所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述內(nèi)圓板的底部靠近邊緣的位置設置有間隙環(huán)槽以使內(nèi)圓板與冷卻支撐臺之間產(chǎn)生間隙。
4.根據(jù)權利要求3所述的金剛石生長基臺，其特征是，所述間隙環(huán)槽的徑向靠內(nèi)的槽底深度小于徑向靠外的槽底深度。
...【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：崔名揚，任麗，李宏利，方海江，
申請(專利權)人：河南天璇半導體科技有限責任公司，
類型：新型
國別省市：
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