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本發(fā)明提供一種氮化鎵功率器件及其制備方法。氮化鎵功率器件包括：異質(zhì)結(jié)；柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)形成在異質(zhì)結(jié)上；過渡層，過渡層形成在柵極結(jié)構(gòu)上；和層間介質(zhì)層，層間介質(zhì)層形成在過渡層上；其中，柵極結(jié)構(gòu)包括與過渡層相鄰的第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層由氮化硅構(gòu)...該專利屬于深圳鎵楠半導(dǎo)體科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過深圳鎵楠半導(dǎo)體科技有限公司授權(quán)不得商用。