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本申請公開了一種具有金屬柵極的半導體元件及其制作方法，該金屬柵極的半導體元件包含提供基底，該基底上形成有至少一半導體元件與覆蓋該半導體元件的接觸洞蝕刻停止層與介電層，且該半導體元件至少包含一虛置柵極。進行虛置柵極移除步驟，以于該半導體元件內...
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