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本發(fā)明公開了一種應(yīng)變SiGe垂直CMOS集成器件及制備方法，在600～780℃，在襯底NMOS和PMOS有源區(qū)上分別連續(xù)生長(zhǎng)N型Si外延層、N型應(yīng)變SiGe層、P型應(yīng)變SiGe層、N型應(yīng)變SiGe層、N型Si層和N型Si層、N型應(yīng)變SiGe...
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