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本發明提供了一種基于PNPN結構的SRAM電路，包括多條位線、多條字線、分別與每一條位線以及每一條字線相連的多個存儲器單元、串聯在每一條位線輸入端的多個電位控制器件、串聯在每一條位線輸出端的多個反相器，其特征在于，存儲器單元為PNPN二極管...
該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。

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