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本實用新型提供了一種LED芯片的結構，包括由下至上依次疊置的襯底、N型氮化鎵層、量子阱、P型氮化鎵層、第一電流阻擋層和透明導電層，N型氮化鎵層、量子阱和P型氮化鎵層的部分蝕刻去除并形成第一側壁，還包括第二電流阻擋層，第二電流阻擋層覆蓋第一側...
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