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一種溝槽式功率半導體元件，具有一第一導電型的輕摻雜基板、至少二個溝槽、一柵極結構、一第二導電型的阱區、一第一導電型的第一摻雜區、至少二個溝槽底部重摻雜區、一接觸窗與一導電結構，其中，溝槽位于所述輕摻雜基板上；并且，這些溝槽中包括至少一個柵極...
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