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本發明提供一種PMOS晶體管的制造方法，包括：提供半導體襯底；在半導體襯底上形成柵極；向所述半導體襯底、柵極以及柵極側墻注入三氟化氮，向所述半導體襯底注入P型源漏摻雜離子；進行退火工藝。在進行退火工藝后三氟化氮被激活，氟離子在所述半導體襯底...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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