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本發明公開一種具有金屬柵極的半導體元件及其制作方法，該半導體元件包括具有多個淺溝隔離的基底、至少一設置于該基底上的金屬柵極、以及至少一對設置于該金屬柵極兩側的輔助結構。...
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