溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明公開一種半導體元件制造方法，該制造方法包括下列步驟：提供基板，基板上方已形成硅柵極結構；對硅柵極結構的硅表面進行改性工藝，進而將該硅柵極結構的硅表面特性由疏水性改變成親水性；于該基板上方形成掩模結構；利用已進行完改性工藝的硅柵極結構與...
該專利屬于聯華電子股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過聯華電子股份有限公司授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。