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本發(fā)明提供一種形成不對稱場效晶體管的方法。該方法包括在半導(dǎo)體基板的頂上形成柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)包括柵極堆疊和鄰近于柵極堆疊側(cè)壁的間隔體，且該柵極堆疊具有第一側(cè)以及與第一側(cè)相對的第二側(cè)；從柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)在基板中執(zhí)行成角度的離子注入，從而形成...該專利屬于國際商業(yè)機器公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過國際商業(yè)機器公司授權(quán)不得商用。