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本發明公開一種選擇性發射極電池掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐腔，爐腔內壓強抽真空；升高壓強，同時通入N2O；檢測爐管壓強，30s內降低壓強；進行預沉積處理...該專利屬于東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司授權不得商用。