本發明專利技術公開一種選擇性發射極電池掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐腔，爐腔內壓強抽真空；升高壓強，同時通入N2O；檢測爐管壓強，30s內降低壓強；進行預沉積處理，通入NH3、SiH4和N2O；沉積處理，同時向爐管內通入NH3、?SiH4?和N2O；沉積完畢后降溫，同時通入N2進行吹掃及冷卻處理。本發明專利技術方法制作氮氧化硅掩膜的低溫效果降低了溫度對硅片少子壽命的影響，同時在二次擴散時不會因為高溫導致部分氫鍵斷裂造成氮化硅掩膜結構損傷而引起掩膜功能失效，掩膜效果優于氮化硅薄膜，同時還能阻擋其他雜質金屬離子，降低硅片污染。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種選擇性發射極太陽能電池的掩膜，主要應用于晶硅電池片方面，具體地說是一種晶硅太陽能選擇性發射極電池掩膜的制備方法。
技術介紹
當前選擇性發射極電池的掩膜大多使用二氧化硅或氮化硅制備，二氧化硅一般采用高溫生長的方法，高溫對硅片存在一定的熱損傷，會影響硅片的少子壽命。另外，高溫生長制備二氧化硅掩膜使用生產周期長，二氧化硅結構質量不高，起到阻擋層的作用低；氮化硅阻擋層在二次擴散時由于高溫造成表面結構損傷，一定程度降低了阻擋作用，兩者均影響選擇性發射極電池原理的完全實現
技術實現思路
本專利技術的目的是針對目前通過熱氧化制備選擇性發射極電池片掩膜后造成硅片由于高溫導致少子壽命降低的問題提供一種新型掩膜的制備方法。本專利技術的目的可以通過以下技術方案實現，其特征在于它包括以下步驟(I)將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐管，爐管內溫度加熱至40(T430°C,在4min內壓強抽真空至80mTorr ；(2)升高壓強至1700mTorr ;持續3min,同時通入N2O流量為4. 4slm ；(3)檢測爐管壓強，30s內降低壓強至50mTorr ；(4)進行預沉積處理，在O. 3min內維持壓強90(Tl200mTorr，電源功率4300W，通入NH3 流量為 Γ1. 2slm, SiH4 流量為 23(T270sccm，N2O 流量為 4 4. 2slm ；(5)沉積處理，升高爐溫至450°C，持續1.5min，同時向爐管內通入NH3流量為2450 2600sccm，SiH4流量為900 1000sccm，N2O流量為14 17slm，低頻電源功率維持4300W ；(6)沉積完畢后降溫至420°C,壓強升至IOOOOmTorr,持續5min,同時通入N2進行吹掃及冷卻處理。本專利技術步驟(I)中爐管內溫度加熱至420°C。本專利技術步驟(4)中溫度為420°C，維持壓強IOOOmTorr,通入的NH3流量為lslm，SiH4 流量為 250sccm, N2O 流量為 4slm。本專利技術步驟(5)中通入的NH3流量為2500sccm，SiH4流量為900sccm，N2O流量為14slm0本專利技術步驟(6)通入流量為擴12slm的N2進行吹掃及冷卻處理。步驟(6)中N2流量為lOslm。本專利技術的有益效果本專利技術所用的氮氧化硅薄膜采用低溫等離子增強型化學氣象沉積制備，沉積溫度是高溫氧化制備二氧化硅膜的溫度的50%，降低高溫對硅片的損傷；相比氮化硅掩膜，該新型掩膜在二次高溫擴散后硅片損傷較小，掩膜效果優于氮化硅薄膜，同時還能阻擋其他雜質金屬離子，降低硅片污染。具體實施例方式下面結合具體實施例對本專利技術作進一步詳細說明。實施例I，其特征在于它包括以下步驟(I)將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐管，爐管內溫度加熱至400°C，在4min內將爐管內壓強抽真空至80mTorr ；(2)升高壓強至1700mTorr ;持續3min,同時通入N2O流量為4. 4slm ； (3)檢測爐管壓強，30s內降低壓強至50mTorr ；(4)進行預沉積處理,在O. 3min內維持壓強900mTorr,電源功率4300W,通入NH3流量為 I. 2slm, SiH4 流量為 270sccm，N2O 流量為 4. 2slm ；(5)沉積處理，升高爐溫至450°C，持續1.5min，同時向爐管內通入NH3流量為2450sccm, SiH4流量為lOOOsccm，N2O流量為17slm，低頻電源功率維持4300W ；(6)沉積完畢后降溫至420°C,壓強升至IOOOOmTorr,持續5min,同時通入N2進行吹掃及冷卻處理，N2流量為9slm。實施例2，其特征在于它包括以下步驟(I)將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐管，爐管內溫度加熱至420°C，在4min內將爐管內壓強抽真空至80mTorr ；(2)升高壓強至1700mTorr ;持續3min,同時通入N2O流量為4. 4slm ；(3)檢測爐管壓強，30s內降低壓強至50mTorr ；(4)進行預沉積處理,在O. 3min內維持壓強IOOOmTorr,電源功率4300W,通入NH3流量為lslm, SiH4流量為250sccm, N2O流量為4slm ；(5)沉積處理，升高爐溫至450°C，持續1.5min，同時向爐管內通入NH3流量為2500sccm, SiH4流量為900sccm，N2O流量為14slm，低頻電源功率維持4300W ；(6)沉積完畢后降溫至420°C,壓強升至IOOOOmTorr,持續5min,同時通入N2進行吹掃及冷卻處理，N2流量為lOslm。實施例3，其特征在于它包括以下步驟(I)將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐管，爐管內溫度加熱至430°C，在4min內將爐管內壓強抽真空至80mTorr ；(2)升高壓強至1700mTorr ;持續3min,同時通入N2O流量為4. 4slm ；(3)檢測爐管壓強，30s內降低壓強至50mTorr ；(4)進行預沉積處理,在O. 3min內維持壓強950mTorr,電源功率4300W,通入NH3流量為 I. lslm, SiH4 流量為 230sccm, N2O 流量為 4. Islm ；(5)沉積處理，升高爐溫至450°C，持續1.5min，同時向爐管內通入NH3流量為2600sccm, SiH4流量為950sccm，N2O流量為15slm，低頻電源功率維持4300W ；(6)沉積完畢后降溫至42(T C，壓強升至IOOOOmTorr,持續5min，同時通入N2進行吹掃及冷卻處理，N2流量為12slm。權利要求1.，其特征在于它包括以下步驟 (1)將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐管，爐管內溫度加熱至40(T430°C,在4min內壓強抽真空至80mTorr ； (2)升高壓強至1700mTorr;持續3min，同時通入N2O流量為4. 4slm ； (3)檢測爐管壓強，30s內降低壓強至50mTon·； (4)進行預沉積處理，在O.3min內維持壓強90(Tl200mTorr，電源功率4300W，通入NH3流量為 Γ1. 2slm, SiH4 流量為 23(T270sccm，N2O 流量為 4 4. 2slm ； (5)沉積處理，升高爐溫至450°C，持續1.5min，同時向爐管內通入NH3流量為245(T2600sccm，SiH4流量為90(Tl000sccm，N2O流量為14 17slm，低頻電源功率維持4300W ； (6)沉積完畢后降溫至420°C，壓強升至IOOOOmTorr,持續5min，同時通入N2進行吹掃及冷卻處理。2.根據權利要求I所述的，其特征在于步驟(I)中爐管內溫度加熱至420°C。3.根據權利要求I所述的，其特征在于步驟(4)中溫度為420°C，維持壓強IOOOmTorr，通入的MV流量為lslm，SiH4流量為250sccm，N2O流量為4slm。4.根據權利要求I所述的，其特征在于步驟本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種選擇性發射極電池掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：(1)將印有刻蝕二氧化硅掩膜的硅片送入等離子體增強化學氣相沉積法PECVD反應爐管，爐管內溫度加熱至400~430℃，在4min內壓強抽真空至80mTorr；(2)升高壓強至1700mTorr；持續3min，同時通入N2O流量為4.4slm；(3)檢測爐管壓強，30s內降低壓強至50mTorr；(4)進行預沉積處理，在0.3min內維持壓強900~1200mTorr，電源功率4300W，通入NH3流量為1~1.2slm，SiH4流量為230~270sccm，N2O流量為4~4.2slm；(5)沉積處理，升高爐溫至450℃，持續1.5min，同時向爐管內通入NH3流量為2450~2600sccm，SiH4？流量為900~1000sccm，N2O？流量為14~17slm，低頻電源功率維持4300W；(6)沉積完畢后降溫至420℃，壓強升至10000mTorr，持續5min，同時通入N2進行吹掃及冷卻處理。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：盧春暉，黃侖，吳俊清，王金偉，史孟杰，
申請(專利權)人：東方電氣集團宜興邁吉太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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