本發明專利技術公開一種濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于包括以下步驟：將已制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，加熱時通入氮氣，持續特定時間穩定反應腔內氛圍后通入氮氣、濕氧、氮氣攜帶的液態三氯氧磷后進行沉積，完成后停止氮氣、三氯氧磷供給，繼續通入濕氧，然后提高加熱溫度，進一步氧化，結束氧化后通入氮氣進行冷卻。本發明專利技術方法制作的二氧化硅膜提高了掩膜的結構致密性和均勻性，有效阻擋二次磷原子的擴散。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及，主要應用于晶體硅選擇性發射極電池制掩膜方面，具體地說是一中種晶硅太陽能電池選擇性發射極電池濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法。
技術介紹
太陽能電池主要發展方向是降低成本和提高轉化效率，目前標準的太陽能電池生產方式下，效率的提升已經接近了極限，光伏業界都把目光集中在了高效電池工藝上。在眾多技術中，選擇性發射極電池是生產工藝中有希望提高效率的方法之一，所謂的選擇性發射極結構是在電極柵線下機器附近形成高摻雜神擴散區，在其他區域形成低摻雜淺擴散區。其中兩次擴散法制備的選擇性發射極電池工藝中由第一次氧化擴散得到的氧化層作為擴散阻擋層，然后由光刻或腐蝕漿料去除氧化層，再由普通擴散方式形成選擇性發射極。 其中第一步擴散氧化制掩膜成為其核心技術之一，只有使該掩膜能夠成功抵擋第二次重摻雜，才能形成選擇性發射極的結構。
技術實現思路
本專利技術的目的是針對目前通過普通擴散爐擴散氧化形成第一次淺擴散層不能夠有效抵擋第二次擴散磷原子擴散的問題提出了。本專利技術的目的可以通過以下技術方案實現，其特征在于它包括以下步驟(I)將已經制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在IOmin內加熱至77(T850°C，同時通入氮氣流量5-8slm，持續3min ；(2)通入氮氣流量3_7slm,氧氣流量30(T500sccm,氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量 1300-1700sccm,持續 15_18min ；(3)通入濕氧流量 2700 3000sccm，持續 10_12min ；(4)以4°C每分鐘的速率升高爐管溫度至87(T890°C，同時通入氮氣流量為 10 13slm ；(5)保持溫度在87(T890°C，通入濕氧流量為5 7slm，濕氧溫度控制在7(T80°C，持續 15 17min ；(6)通入氮氣流量為15 20slm，降溫至830°C，即制得二氧化硅掩膜。本專利技術步驟(I)中爐管內溫度加熱至780°C。本專利技術步驟(2)中通入氮氣流量為5slm,氧氣流量400sccm,氮氣攜帶的三氯氧磷氣體流量為1500sccm。本專利技術步驟(3)中濕氧流量為2800sccm,持續時間llmin。本專利技術步驟(5)中溫度恒定在880°C。通入濕氧流量為6slm，濕氧的溫度為75°C， 持續時間為16min。本專利技術的有益效果本專利技術所用的濕法氧化制備的二氧化硅掩膜在生產中能夠降低掩膜成膜時間，提高生產效率，掩膜結構致密且均勻，能夠有效抵擋二次擴散中的磷原子進一步擴散，使選擇性發射極電池結構更加穩定。具體實施方式下面結合具體實施例對本專利技術作進一步說明。實施例I，其特征在于它包括以下步驟(I)將已制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在IOmin內加熱至810°C，同時通入氮氣6. 5slm ； (2)通入氮氣流量3. 5slm,氧氣流量350sccm,氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量 1300sccm,持續17min (3)通入濕氧流量2750sccm,持續10. 5min ； (4)以4°C每分鐘的速率升高爐管溫度至878°C，同時通入氮氣流量為12slm ； (5)保持溫度在878°C，通入濕氧流量為5. 5slm，濕氧溫度控制在74°C，持續15. 5min ； (6)通入氮氣流量為18slm，降溫至 830 °C，即制得二氧化硅掩膜。實施例2，其特征在于它包括以下步驟(1)將已制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在IOmin內加熱至780V，同時通入氮氣5. 8slm ； (2)通入氮氣流量5slm,氧氣流量400sccm,氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量 1500sccm,持續18min (3)通入濕氧流量2800sccm,持續Ilmin ； (4)以4°C每分鐘的速率升高爐管溫度至880°C，同時通入氮氣流量為13slm ； (5)保持溫度在880°C，通入濕氧流量為6slm，濕氧溫度控制在75°C，持續16min ;(6)通入氮氣流量為15slm，降溫至830°C，即制得二氧化硅掩膜。實施例3，其特征在于它包括以下步驟(I)將已制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在IOmin內加熱至780°C，同時通入氮氣7. 5slm ； (2)通入氮氣流量6. 5slm,氧氣流量500sccm,氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量 1650sccm,持續15min (3)通入濕氧流量2980sccm,持續IOmin ； (4)以4°C每分鐘的速率升高爐管溫度至890°C，同時通入氮氣流量為Ilslm ； (5)保持溫度在890°C，通入濕氧流量為6. 7slm,濕氧溫度控制在70°C，持續17min ； (6)通入氮氣流量為19slm，降溫至830°C，即制得二氧化硅掩膜。權利要求1.，其特征在于它包括以下步驟(1)將已經制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在IOmin內加熱至 770-850°C，同時通入氮氣流量5-8slm，持續3min ；(2)通入氮氣流量3-7slm,氧氣流量300-500sccm,氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量 1300-1700sccm,持續 15_18min ；(3)通入濕氧流量2700-3000sccm,持續 10_12min ；(4)以4°C每分鐘的速率升高爐管溫度至870-890°C，同時通入氮氣流量為10-13slm；(5)保持溫度在870-890°C，通入濕氧流量為5-7slm，濕氧溫度控制在70_8(TC，持續 15_17min ；(6)通入氮氣流量為15-20slm，降溫至830°C，即制得二氧化硅掩膜。2.根據權利要求I所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(I)中爐管內溫度加熱至780°C。3.根據權利要求I所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(2)中通入氮氣流量為5slm,氧氣流量400sccm,氮氣攜帶的三氯氧磷氣體流量為1500sccm。4.根據權利要求I所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(3)中濕氧流量為2800sccm,持續時間llmin。5.根據權利要求I所述的濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步驟(5)中溫度恒定在880°C。通入濕氧流量為6slm，濕氧的溫度為75°C，持續時間為16min。全文摘要本專利技術公開，其特征在于包括以下步驟將已制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，加熱時通入氮氣，持續特定時間穩定反應腔內氛圍后通入氮氣、濕氧、氮氣攜帶的液態三氯氧磷后進行沉積，完成后停止氮氣、三氯氧磷供給，繼續通入濕氧，然后提高加熱溫度，進一步氧化，結束氧化后通入氮氣進行冷卻。本專利技術方法制作的二氧化硅膜提高了掩膜的結構致密性和均勻性，有效阻擋二次磷原子的擴散。文檔編號H01L31/18GK102938434SQ20121045700公開日2013年2月20日 申請日期2012年11月14日 優先權日2012年11月14日專利技術者黃侖, 盧春暉, 吳俊清, 史孟杰, 王丹萍 申請人:東方電氣集團(宜興)邁吉太陽能科技有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種濕法氧化制備二氧化硅掩膜的方法，其特征在于它包括以下步驟：(1)將已經制絨的硅片送入濕法氧化擴散爐反應爐管，爐管溫度在10min內加熱至770？850℃，同時通入氮氣流量5？8slm，持續3min；(2)通入氮氣流量3？7slm，氧氣流量300？500sccm，氮氣攜帶三氯氧磷氣體流量1300？1700sccm,持續15？18min；(3)通入濕氧流量2700？3000sccm,持續10？12min；(4)以4℃每分鐘的速率升高爐管溫度至870？890℃，同時通入氮氣流量為10？13slm；(5)保持溫度在870？890℃，通入濕氧流量為5？7slm，濕氧溫度控制在70？80℃，持續15？17min；(6)通入氮氣流量為15？20slm，降溫至830℃，即制得二氧化硅掩膜。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃侖，盧春暉，吳俊清，史孟杰，王丹萍，
申請(專利權)人：東方電氣集團宜興邁吉太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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