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本發明公開了一種存儲器的制造方法。提供一基底，基底包括一存儲胞區與一周邊區，存儲胞區形成多個第一柵極，第一柵極之間具有多個第一開口。于存儲胞區的基底上形成一氮化層，氮化層覆蓋第一柵極與第一開口。于周邊區的基底上形成一氧化層。進行一氮化工藝，...
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