存儲器的制造方法技術

本發明專利技術公開了一種存儲器的制造方法。提供一基底，基底包括一存儲胞區與一周邊區，存儲胞區形成多個第一柵極，第一柵極之間具有多個第一開口。于存儲胞區的基底上形成一氮化層，氮化層覆蓋第一柵極與第一開口。于周邊區的基底上形成一氧化層。進行一氮化工藝，使氧化層被氮化成一氮化氧化層。于基底上形成一導體層，導體層包括位于存儲胞區的基底上的一覆蓋層，以及位于周邊區的基底上的多個第二柵極，其中覆蓋層覆蓋氮化層且填滿第一開口。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及存儲器技術，且特別涉及一種存儲器的制造方法。
技術介紹
一般來說，隨著快閃存儲器的尺寸逐漸縮小，為了克服愈來愈小的線寬以及防止對準失誤(misalignment),在存儲胞區會采用自行對準接觸窗(self-aligned contact,SAC)工藝與自行對準浮置柵極(self-aligned floating gate, SAF)工藝。然而，以快閃存儲器為例，當對存儲胞區進行自行對準接觸窗工藝或是自行對準浮置柵極工藝時，必須考慮到此二種工藝本身對周邊元件區所產生的工藝復雜化及所使用的熱工藝可能會影響到周邊區的元件特性，諸如導致柵極的特性劣化，或柵氧化層中發生 硼穿透(boron penetraion)效應，因而對熱工藝的溫度等參數進行調整。也就是說，為了顧及周邊區的元件特性，可能必須犧牲存儲胞區的元件的較佳工藝條件，因此難以進一步提升存儲器的元件特性。
技術實現思路
本專利技術提供一種存儲器的制造方法，使存儲器具有良好的元件特性。本專利技術提出一種存儲器的制造方法。提供一基底，基底包括一存儲胞區與一周邊區，存儲胞區形成多個第一柵極，第一柵極之間具有多個第一開口。于存儲胞區的基底上形成一氮化層，氮化層覆蓋第一柵極與第一開口。于周邊區的基底上形成一氧化層。進行一氮化工藝，使氧化層被氮化成一氮化氧化層。于基底上形成一導體層，導體層包括位于存儲胞區的基底上的一覆蓋層，以及位于周邊區的基底上的多個第二柵極，其中覆蓋層覆蓋氮化層且填滿第一開口?；谏鲜?，在本專利技術的存儲器的制造方法中，周邊區的柵極是在存儲胞區的柵極等元件形成后才開始制作，因此可以避免于存儲胞區進行的工藝會影響周邊區的元件的特性。如此一來，存儲器同時可導入硅化金屬工藝，使其具有增強且良好的元件特性。為讓本專利技術的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。附圖說明圖IA至圖II是依照本專利技術的一實施例的一種存儲器的制造方法的流程剖面示意圖。其中，附圖標記說明如下100 :基底102 :存儲胞區104:周邊區110、162:柵介電層120、174:柵極120a :頂部122、176:間隙壁130、184:開口140 :源極與漏極區150 :氮化層160:氧化層160a:氮化氧化層170:導體層172:覆蓋層178 :摻雜區180 :硅化金屬層181 :阻障層182 :材料層190:圖案42:計算機主機；192、194 :接觸窗開口196、198 :接觸窗插塞具體實施方式 圖IA至圖II是依照本專利技術的一實施例的一種存儲器的制造方法的流程剖面示意圖。請參照圖1A，首先，提供基底100，基底100包括存儲胞區102與周邊區104，其中存儲胞區102形成有多個第一柵極120，第一柵極120之間具有多個第一開口 130。在本實施例中，還包括于各第一柵極120與基底100之間形成一柵介電層110?；?00例如是半導體基底，如N型或P型的硅基底、三五族半導體基底等。柵介電層110例如是具有氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)結構。第一柵極120的材料例如是摻雜多晶硅。請參照圖1B，接著，于各第一柵極120的兩側形成源極與漏極區140。然后，于各第一柵極120的側壁上形成一間隙壁122。在本實施例中，源極與漏極區140的形成方法例如是離子注入工藝。間隙壁122的形成方法例如是包括沉積工藝與蝕刻工藝。在一實施例中，間隙壁122上可以形成有另一間隙壁。值得注意的是，由于在存儲胞區102中形成第一柵極120、源極與漏極區140以及間隙壁122等元件時，周邊區104中未形成有柵極、柵氧化層等元件，因此存儲胞區102中所進行的熱工藝、摻雜工藝等工藝不會影響周邊區104的元件的特性。請參照圖1C，接著，于存儲胞區102的基底100上形成一氮化層150，氮化層150覆蓋第一柵極120。在本實施例中，氮化層150的材料例如是氮化硅，其形成方法例如是化學氣相沉積法。然后，于周邊區104的基底100上形成一氧化層160。在本實施例中，氧化層160的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是化學氣相沉積法。請參照圖1D，接著，對基底100進行一氮化工藝，使氧化層160被氮化成富含氮化物的一氮化氧化層160a。氮化工藝例如是包括一去耦等離子體氮化工藝(DPN)、一后氮化退火工藝(PNA)或一氮離子注入工藝。特別一提的是，已知氮化氧化層有助于減緩后續工藝的硼穿透的情況。而后，于基底100上形成一導體層170,導體層170包括位于存儲胞區102的基底100上的一覆蓋層172，以及位于周邊區104的基底100上的多個第二柵極174，其中覆蓋層172覆蓋氮化層150且填滿第一開口 130。導體層170的材料包括未摻雜多晶娃。在一實施例中，例如是以第二柵極174為罩幕層，于第二柵極174的兩側形成淡摻雜區(未圖示)。請參照圖1E，接著，于周邊區104的各第二柵極174的側壁上形成一間隙壁176。間隙壁176的形成方法例如是沉積與蝕刻工藝，以于第二柵極174的側壁上形成作為間隙壁176的氧化物。再者，在本實施例中，間隙壁176還形成于覆蓋層172的側壁上。接著，再以間隙壁176作為罩幕，于各第二柵極174兩側形成一摻雜區178。請參照圖1F，而后，在本實施例中，對各第二柵極174與各摻雜區178進行一硅化金屬工藝，以于第二柵極174頂部以及各摻雜區178中形成一娃化金屬層180。在本實施例中，硅化金屬層180例如是硅化鈷。值得一提的是，在本實施例中，由于在對周邊區104的柵極174與摻雜區178進行硅化金屬工藝時，以一罩幕層遮蔽存儲胞區102，因此存儲胞區102的柵極120等元件不會被金屬硅化，以避免影響諸如字元線與源極與漏極區之間的電性絕緣。請參照圖1G，而后，于基底100上形成一阻障層181，以覆蓋周邊區104的第二柵極174以及存儲胞區102的覆蓋層172。然后，于周邊區104的基底100上形成一第一材料層182。阻障層181的材料例如是氮化硅，其形成方法例如是化學氣相沉積法。第一材料層182的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是化學氣相沉積法。在本實施例中，此步驟例如是先于基板100上形成全面覆蓋周邊區104與存儲胞區102的一材料層，接著以存儲胞區102的阻障層181作為蝕刻終止層，對材料層進行平坦化工藝，使得第一材料層182的頂面與阻障層181的頂面約略相等且實質上位在同一平面上。其中，平坦化工藝例如是包括一 化學機械研磨工藝。請參照圖1H，接著，移除存儲胞區102的部分阻障層181與部分覆蓋層172，以形成多個第二開口 184，各第二開口 184暴露各第一柵極120的頂部120a。移除部分阻障層181與部分覆蓋層172的方法例如是干式蝕刻工藝。特別一提的是，在本實施例中，在形成第二開口 184的步驟中，由于周邊區104的柵極174已被第一材料層182覆蓋保護，因此在選擇移除部分覆蓋層172的蝕刻條件上無需顧及是否會傷害到周邊區104的柵極174，而能使用較佳的蝕刻條件來移除部分覆蓋層172,以得到具有垂直輪廓(verticalprofile)的第二開口 184。舉例來說,在蝕刻劑的選擇上，無須考慮所使用的蝕刻劑對于覆蓋層172與柵極174是否有高選擇蝕刻比，而能就獲得本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲器的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，該基底包括一存儲胞區與一周邊區，該存儲胞區形成多個第一柵極，所述多個第一柵極之間具有多個第一開口；于該存儲胞區的該基底上形成一氮化層，該氮化層覆蓋所述多個第一柵極與所述多個第一開口；于該周邊區的該基底上形成一氧化層；進行一氮化工藝，使該氧化層被氮化成一氮化氧化層；以及于該基底上形成一導體層，該導體層包括位于該存儲胞區的該基底上的一覆蓋層，以及位于該周邊區的該基底上的多個第二柵極，其中該覆蓋層覆蓋該氮化層且填滿所述多個第一開口。

【技術特征摘要】
1.一種存儲器的制造方法，其特征在于，包括 提供一基底，該基底包括一存儲胞區與一周邊區，該存儲胞區形成多個第一柵極，所述多個第一柵極之間具有多個第一開口； 于該存儲胞區的該基底上形成一氮化層，該氮化層覆蓋所述多個第一柵極與所述多個第一開口 ； 于該周邊區的該基底上形成一氧化層； 進行一氮化工藝，使該氧化層被氮化成一氮化氧化層；以及 于該基底上形成一導體層，該導體層包括位于該存儲胞區的該基底上的一覆蓋層，以及位于該周邊區的該基底上的多個第二柵極，其中該覆蓋層覆蓋該氮化層且填滿所述多個第一開口。2.根據權利要求I所述的存儲器的制造方法，其特征在于，還包括 于該基底上形成一阻障層，以覆蓋該周邊區的所述多個第二柵極以及該存儲胞區的該覆蓋層； 于該周邊區的該基底上形成一第一材料層； 移除該存儲胞區的部分該阻障層與部分該覆蓋層，以形成多個第二開口，各該第二開口暴露各該第一柵極的頂部； 于各該第二開口中形成一第一圖案； 移除剩余的該覆蓋層，以于該存儲胞區形成多個接觸窗開口 ；以及 于各該接觸窗...

【專利技術屬性】
技術研發人員：廖修漢，蔣汝平，
申請(專利權)人：華邦電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：