存儲器裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術實施例提供一種存儲器裝置，其包括存儲器陣列、第一置亂電路及第二置亂電路。所述第一置亂電路經配置以響應于輸入數據而以第一置亂模式提供第一經置亂數據。所述第二置亂電路經配置以響應于所述第一經置亂數據而以第二置亂模式提供第二經置亂數據。

Memory device

The embodiment of the invention provides a memory device, which comprises a memory array, a first scrambling circuit and a two scrambling circuit. The first scrambling circuit is configured to provide the first scrambled data in the first scrambling mode in response to the input data. The second scrambling circuit is configured to provide second scrambled data in a second scrambling mode in response to the first scrambled data.

【技術實現步驟摘要】
存儲器裝置
本專利技術實施例涉及半導體
，特別涉及半導體
中的存儲器裝置。
技術介紹
存儲器對于大多數現代電子裝備(例如計算機、個人數字助理、蜂窩式電話及數碼相機)來說是不可或缺的。存儲器裝置廣泛用于留存計算機程序或視頻/音頻數據。此外，許多應用需要將數據存儲于非易失性媒體中以便滿足便攜性的目標。非易失性存儲器裝置的一實例是快閃存儲器，快閃存儲器能夠在電力被關斷時留存數據。快閃存儲器由于其輕重量、優越記錄密度、小外觀尺寸及縮減的成本而比常規光盤或磁性類型的記錄媒體更具競爭力。快閃存儲器在敏感數據存取領域(例如個人身份證、醫保卡、信用卡及電子錢包)中具有許多應用，且已廣泛取代常規紙質卡或磁卡。然而，在電子卡的數據保護方面仍存在擔憂。因此，加強用于此類非易失性存儲器的安全措施可為合意的。
技術實現思路
本專利技術的一實施例提供一種存儲器裝置，其包括：存儲器陣列；第一置亂電路，其經配置以響應于輸入數據而以第一置亂模式提供第一經置亂數據；及第二置亂電路，其經配置以響應于所述第一經置亂數據而以第二置亂模式提供第二經置亂數據。附圖說明當與附圖一起閱讀時，從以下詳細說明最佳地理解本揭露的各方面。應注意，根據工業中的標準實踐，各種構件未按比例繪制。實際上，為論述清晰起見，可任意地增加或減小各種構件的尺寸。圖1是根據一些實施例的存儲器裝置的示意圖。圖2A是根據一些實施例的圖1中的存儲器裝置的寫入置亂電路的示意圖。圖2B是根據一些實施例的圖1中的存儲器裝置的讀取置亂電路的示意圖。圖3是根據一些實施例的存儲器陣列的示意圖。圖4是根據一些實施例的存儲器裝置的寫入操作的流程圖。圖5是根據一些實施例的存儲器陣列的讀取操作的流程圖。圖6是根據一些實施例的存儲器陣列的寫入操作的流程圖。具體實施方式以下揭露內容提供用于實施所提供標的物的不同構件的許多不同實施例或實例。下文描述組件及布置的特定實例以簡化本揭露。當然，這些組件及布置僅為實例且不打算為限制性的。舉例來說，在以下說明中在第二構件上方或在其上形成第一構件可包含其中以直接接觸方式形成第一構件及第二構件的實施例，且還可包含其中可在第一構件與第二構件之間形成額外構件使得第一構件與第二構件可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各種實例中重復參考編號及/或字母。此重復是出于簡化及清晰的目的且自身不指示所論述的各種實施例及/或配置之間的關系。此外，為易于說明，本文中可使用空間相對術語(例如“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等等)來描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件的關系，如各圖中所圖解說明。除各圖中所描繪的定向外，所述空間相對術語還打算涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其它方式定向(旋轉90度或處于其它定向)，且可同樣相應地解釋本文中所使用的空間相對描述符。圖1是根據一些實施例的存儲器裝置100的示意圖。存儲器裝置100包含一或多個存儲器陣列，其中出于圖解說明目的而展示示范性存儲器陣列102。另外，存儲器裝置100包含地址解碼器112、字線(WL)驅動器114、多個寫入驅動器(WD)116、多個讀出放大器(SA)122、多個讀取多路復用器(MUX)120、數據模式產生電路130、地址模式產生電路132、寫入置亂電路124、讀取置亂電路126及地址置亂電路134。存儲器陣列102包含布置成若干行及若干列的多個存儲器單元(未單獨展示)，其中每一行及每一列分別對應于字線及位線。每一存儲器單元是通過其相應字線及位線來尋址及存取。存取操作可指將數據寫入到存儲器陣列102中的寫入操作或指從存儲器陣列102讀取數據的讀取操作。另外，存儲器陣列102被分割成多個數據輸入/輸出群組DIG[1]到DIG[N]，每一數據輸入/輸出群組對應于相應寫入驅動器116，其中N是自然數。在操作期間，存儲器陣列102中的數據塊DIO是以存儲于存儲器群組DIG[1]到DIG[N]中的對應一者的一個單元中的每一構成位DIO[i]來存取，i是介于1與N之間的自然數。地址解碼器112經配置以響應于來自地址置亂電路134或外部控制器(例如，存儲器控制器)的邏輯地址信號而提供物理字線地址信號。經解碼字線地址由k個位表示，其中m個位用于通過字線驅動器114選擇字線中的對應一者，且其余p(＝k-m)個位用于通過寫入驅動器116或讀取多路復用器120選擇存儲器陣列102中的位線中的對應一者。字線驅動器114從地址解碼器112接收經解碼字線地址，且經配置而以一驅動電壓驅動與存儲器陣列102的一行相關聯的選定字線以啟用寫入或讀取操作。另外，字線驅動器114可包含經配置以啟用或停用選定字線的晶體管。并且，字線驅動器114的每一行負責驅動同一行上的存儲器單元，且字線驅動器114的驅動能力確定一行中的存儲器單元的數目。寫入驅動器116通過寫入置亂電路124接收串行輸入數據DIN。每一寫入驅動器116包括輸入端口及輸出端口以及由來自地址解碼器112的地址信號控制的p個位線。在一寫入循環內的寫入操作期間，寫入具有長度N(等于寫入驅動器116的數目)的數據塊DIB(展示于圖2A中)。N個寫入驅動器116中的每一者在一寫入循環期間接收一位數據，且經配置以啟用p個位線中的由地址解碼器112選擇的一個位線。接著，每一寫入驅動器116借助位線程序或擦除電壓將所接收一位數據寫入到對應存儲器單元中。另外的p-1個未選定位線由寫入驅動器116停用以確保恰當寫入操作。多個讀取多路復用器120放置于存儲器陣列102與讀出放大器122之間。每一讀取多路復用器120經配置以響應于由地址解碼器112提供的經解碼地址而選擇p個位線中的一者。類似于寫入操作，N個位的數據在讀取操作期間由對應讀取多路復用器120讀取。即使所接收數據位尚未被讀出放大器122檢測，但經讀出數據仍被提供到所述讀出放大器。讀出放大器122接收讀取多路復用器120的輸出，且經配置以檢測從存儲器單元讀取的數據的邏輯狀態。在操作中，將預定電壓施加到存儲器單元的控制柵極。隨后，相應地產生對控制柵極處的電壓改變做出響應的電流。為了檢測邏輯狀態，讀出放大器122經配置以測量所述電流且接著將所測量電流與預定參考電流進行比較。當所測量電流大于參考電流時，確定獲取到邏輯高數據。這意味著所檢測存儲器單元存儲邏輯高數據。另一方面，當所測量電流小于參考電流時，讀出放大器122輸出邏輯低數據。在一些實施例中，讀出放大器122經配置以通過電壓比較而檢測數據位。在所述情形中，通過感測對存儲器單元的控制柵極處的電壓改變做出響應的所感測電壓與預定參考電壓之間的電壓差而檢測每一位。數據模式產生電路130經配置以響應于數據置亂配置Config_D而產生置亂模式。另外，數據模式產生電路130經配置以提供由相應數據置亂配置控制的多個置亂模式。數據置亂配置可包括用于進行置亂的置亂碼及(任選地)數據塊索引。例如，用于寫入操作的寫入置亂配置Sel_IN可包括對應于寫入置亂模式的寫入置亂碼及待寫入的輸入數據DIN的一或多個塊索引。類似地，用于讀取操作的讀取置亂配置Sel_OUT可包括對應于讀取置亂模式的讀取置亂碼及待讀出的存儲器數據DIO的一或多個塊索引。在一實施例中，數據模式產生電路130包含用于原始數據與經置亂數據本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲器裝置，其包括：存儲器陣列；第一置亂電路，其經配置以響應于輸入數據而以第一置亂模式提供第一經置亂數據；及第二置亂電路，其經配置以響應于所述第一經置亂數據而以第二置亂模式提供第二經置亂數據。

【技術特征摘要】
2015.12.15 US 14/969,6211.一種存儲器裝置，其包括：存儲器陣列；第一置亂電路...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林楷竣，林谷峰，于鴻昌，池育德，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71