一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法及優(yōu)化測試裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其包括：生成測試向量；對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，自動適應(yīng)被測Flash存儲器在本次測試中的最小操作時間，并且按該最小操作時間進行操作，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間；允許所述多個Flash存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試；接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。本發(fā)明專利技術(shù)綜合了向量算法優(yōu)化與生成和并行測試技術(shù)，在保證測試覆蓋率的前提下大幅度的提高了Flash存儲器的測試效率，降低了測試成本。

Optimized testing method for Flash memory and optimized testing device

The invention discloses a method for optimizing the test, Flash memory which comprises: generating test vectors; the test vector algorithm was optimized, automatically adapt to the minimum operation time of the measured Flash memory in this test, and to operate according to the minimum operating time, the testing time is close to the minimum time limit for the inherent characteristics of Flash memory; at the same time allows the multiple Flash memory test device for a plurality of stations a plurality of measured Flash memory parallel test according to the test vector; receiving test results from the plurality of corresponding Flash memory test device. The invention synthesizes vector algorithm optimization and generation and parallel testing technology, and greatly improves testing efficiency of Flash memory and reduces test cost under the premise of guaranteeing test coverage rate.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法及優(yōu)化測試裝置
本專利技術(shù)涉及芯片測試
，特別涉及一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法及優(yōu)化測試裝置。
技術(shù)介紹
Flash存儲器在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用于存儲電子數(shù)據(jù)。作為各電子系統(tǒng)內(nèi)部存儲單元的核心器件，F(xiàn)lash存儲器的質(zhì)量直接影響著電子系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲的質(zhì)量，從而影響整個系統(tǒng)的運行。因此，F(xiàn)lash存儲器的測試對于保障電子系統(tǒng)的運行功能和數(shù)據(jù)存儲具有重大意義，也為航空航天等重要產(chǎn)業(yè)保駕護航起到關(guān)鍵作用。由于Flash存儲器的固有特性，其各項操作都需要一定的操作時間，且操作的最小時間在一定范圍內(nèi)是不固定的，因此通常對Flash存儲器進行測試時，所需要的時間較長，且有可能因為最小操作時間未知而導(dǎo)致一些時間的浪費，致使出現(xiàn)Flash存儲器的測試時間長效率低和測試成本較高的問題。因此，在保證測試覆蓋率的前提下，實現(xiàn)一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，提高測試效率，降低測試成本，具有重大的現(xiàn)實意義。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)的目的在于提出一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法及優(yōu)化測試裝置，包含對測試向量的算法進行優(yōu)化以及采用并行測試技術(shù)，在保證測試覆蓋率的前提下大幅度提高了Flash存儲器的測試效率，降低了測試成本。基于上述目的，本專利技術(shù)提供的一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其包括：測試向量生成步驟，生成測試向量；測試時間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，自動適應(yīng)被測Flash存儲器在本次測試中的最小操作時間，并且按該最小操作時間進行操作，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間；并行測試控制步驟，允許所述多個Flash存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試；測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。優(yōu)選地，根據(jù)本專利技術(shù)的Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，所述測試時間優(yōu)化步驟包括：將所述測試向量發(fā)送給多個Flash存儲器測試裝置，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，使Flash存儲器在測試時，對擦除和寫入操作的標志位或結(jié)果進行判斷，當判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時間而繼續(xù)向下進行。根據(jù)本專利技術(shù)的Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，所述并行測試包括：構(gòu)建多個線程或者進程，每一個線程或者進程用于控制一個Flash存儲器，各個線程或進程相互獨立；每一個線程或者進程分別獨立連接存儲器測試裝置，各個線程或者進程同步運行；以及當一個線程或進程完成對Flash存儲器測試裝置的操作后，該線程或進程立即釋放該Flash存儲器測試裝置，從而其它的線程或者進程能夠繼續(xù)使用Flash存儲器測試裝置。進一步地，根據(jù)本專利技術(shù)的Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，所述測試向量由控制器生成，并通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個Flash存儲器測試裝置。另一方面，本專利技術(shù)還提供一種Flash存儲器的優(yōu)化測試裝置，其包括：測試向量生成模塊，生成測試向量；測試時間優(yōu)化模塊，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，自動適應(yīng)被測Flash存儲器在此次測試中的最小操作時間，并且按該最小操作時間進行操作，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間；并行測試控制模塊，允許所述多個Flash存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試；以及測試結(jié)果接收模塊，接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。優(yōu)選地，根據(jù)本專利技術(shù)的Flash存儲器的優(yōu)化測試裝置，所述測試時間優(yōu)化模塊包括：測試向量優(yōu)化子模塊，將所述測試向量發(fā)送給多個Flash存儲器測試裝置，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化；以及判斷子模塊，根據(jù)測試所述向量優(yōu)化子模塊的優(yōu)化結(jié)果，使Flash存儲器在測試時，對擦除和寫入操作的標志位或結(jié)果進行判斷，當判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時間而繼續(xù)向下進行。進一步地，根據(jù)本專利技術(shù)的Flash存儲器的優(yōu)化測試裝置，所述并行測試控制模塊進一步包括：線程或進程構(gòu)建子模塊，構(gòu)建多個線程或者進程，每一個線程或者進程用于控制一個Flash存儲器，各個線程或進程相互獨立；同步運行子模塊，控制每一個線程或者進程分別獨立連接Flash存儲器測試裝置，各個線程或者進程同步運行；以及存儲器測試裝置搶占子模塊，控制當一個線程或進程完成對測試儀的操作后，該線程或進程立即釋放Flash存儲器測試裝置，從而其它線程或者進程能夠繼續(xù)使用Flash存儲器測試裝置。優(yōu)選地，根據(jù)本專利技術(shù)的Flash存儲器的優(yōu)化測試裝置，通過總線將所述測試向量發(fā)送給所述多個Flash存儲器測試裝置。從上面所述可以看出，根據(jù)本專利技術(shù)提供的Flash存儲器的優(yōu)化測試方案，由于采用了并行測試技術(shù)，能夠使Flash存儲器的測試程序在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試，可準確定位和顯示各并行工位的測試結(jié)果，大幅度降低單只Flash存儲器的測試時間。另外，由于測試時，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間，故避免了由于最小操作時間未知所導(dǎo)致的時間浪費。附圖說明圖1為本專利技術(shù)實施例的Flash存儲器優(yōu)化測試方法的流程圖。圖2為本專利技術(shù)實施例的并行測試方法的具體流程圖。圖3為本專利技術(shù)實施例的Flash存儲器優(yōu)化測試裝置的結(jié)構(gòu)框圖。圖4為本專利技術(shù)實施例的并行測試控制模塊的結(jié)構(gòu)框圖。具體實施方式為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本專利技術(shù)進一步詳細說明。需要說明的是，本專利技術(shù)實施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是為了區(qū)分兩個相同名稱非相同的實體或者非相同的參量，可見“第一”“第二”僅為了表述的方便，不應(yīng)理解為對本專利技術(shù)實施例的限定，后續(xù)實施例對此不再一一說明。本專利技術(shù)提供一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其包括：測試向量生成步驟，生成測試向量；測試時間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，自動適應(yīng)被測Flash存儲器在本次測試中的最小操作時間，并且按該最小操作時間進行操作，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間；并行測試控制步驟，允許所述多個Flash存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試；測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。眾所周知，半導(dǎo)體存儲器的測試有功能測試、直流參數(shù)測試、交流參數(shù)測試，而功能測試和交流參數(shù)測試對存儲器來說是至關(guān)重要的。對于Flash存儲器的測試而言，其常見的測試方法諸如奇偶校驗圖形檢驗法(在奇偶性圖形檢驗法中，向存儲單元矩陣寫入的數(shù)據(jù)圖案是根據(jù)存儲單元選址地址碼的奇偶性而定的)、齊步法(是對存儲器的每個單元依次進行檢驗的一種方法)等等。通常，F(xiàn)lash存儲器的測試方法可按照如下步驟進行：第一步，生成測試向量；第二步，將所述測試向量發(fā)送給多個存儲器測試裝置，以使得所述多個存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量對各自對應(yīng)的待測試的Flash存儲器分別進行測試；第三步，接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。優(yōu)選地，通過控制器生成測試向量，通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個Flash存儲器測試裝置。在上述測試中，通過控制器生成的測試向量對Fl本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其特征在于包括：測試向量生成步驟，生成測試向量；測試時間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，自動適應(yīng)被測Flash存儲器在本次測試中的最小操作時間，并且按該最小操作時間進行操作，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間；并行測試控制步驟，允許所述多個Flash存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試；測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其特征在于包括：測試向量生成步驟，生成測試向量；測試時間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，自動適應(yīng)被測Flash存儲器在本次測試中的最小操作時間，并且按該最小操作時間進行操作，使測試時間接近因Flash存儲器固有特性限制的最小時間；并行測試控制步驟，允許所述多個Flash存儲器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時間進行多個工位多個被測Flash存儲器的并行測試；測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個Flash存儲器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其特征在于，所述測試時間優(yōu)化步驟包括：將所述測試向量發(fā)送給多個Flash存儲器測試裝置，對所述測試向量的算法進行優(yōu)化，使Flash存儲器在測試時，對擦除和寫入操作的標志位或結(jié)果進行判斷，當判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時間而繼續(xù)向下進行。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其特征在于，所述并行測試包括：構(gòu)建多個線程或者進程，每一個線程或者進程用于控制一個Flash存儲器，各個線程或進程相互獨立；每一個線程或者進程分別獨立連接存儲器測試裝置，各個線程或者進程同步運行；以及當一個線程或進程完成對Flash存儲器測試裝置的操作后，該線程或進程立即釋放該Flash存儲器測試裝置，從而其它的線程或者進程能夠繼續(xù)使用Flash存儲器測試裝置。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Flash存儲器的優(yōu)化測試方法，其特征在于，所述測試向量由控制器生成，并通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個Flash存儲器測試裝置。5.一種Flash存儲器的優(yōu)化測試裝置，其特征在于包括：測試向量生成模塊...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李盛杰，
申請(專利權(quán))人：航天科工防御技術(shù)研究試驗中心，
類型：發(fā)明
國別省市：北京,11