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本發(fā)明提供一種MOS晶體管的制造方法，通過頂部低于所述柵氧化層底部的側(cè)墻來抑制后續(xù)輕摻雜源/漏區(qū)(LDD)離子注入后的徑向擴散，控制形成的輕摻雜源/漏(LDD)延伸區(qū)的深度，以使獲得的超淺結(jié)更淺，減小短溝道效應，降低結(jié)電容；進一步的，通過應...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。