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本發(fā)明提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括下述步驟：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，并且在所述半導(dǎo)體襯底中將要形成源/漏區(qū)的部分形成有凹槽；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成犧牲側(cè)墻；在所述半導(dǎo)體襯底中將要形成源/漏區(qū)的部分進(jìn)行...該專(zhuān)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。