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一種半導體器件的制造方法，包括在第一半導體材料的半導體襯底上依次形成遂穿介質層、存儲介質層、柵介質層和柵極層。對遂穿介質層、存儲介質層、柵介質層和柵極層進行圖案化以形成柵極疊置體。在柵極疊置體兩側的半導體襯底中形成凹槽。在凹槽中填充不同于第...
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