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本發明提供一種半導體存儲裝置。在具有分層位線結構的SRAM(靜態隨機存取存儲器)中，利用對與存儲器單元相連的局部位線(LBL/NLBL)進行預充電的P溝道晶體管(10a、10b)、柵極與局部位線相連且漏極與全局位線(GBL/NGBL)相連的...
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