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本發明涉及一種三氯氫硅紅外透過光譜分析制樣方法及制樣樣品池，屬于材料檢測領域。該方法是設計一三氯氫硅紅外透過光譜分析制樣樣品池，利用該樣品池實現三氯氫硅紅外透過光譜分析制樣方法，采用紅外透過光譜分析法對三氯氫硅進行定性分析與檢測。所述樣品池...該專利屬于四川大學;東方電氣集團峨嵋半導體材料有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過四川大學;東方電氣集團峨嵋半導體材料有限公司授權不得商用。