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本發明提供一種監測和補償大尺寸芯片產品光刻拼接精度的方法，該方法包括步驟為:設計拼接光刻版；依次進行第一層曝光，包括對大尺寸芯片的拼接光刻和虛擬曝光場的曝光；進行第二層曝光，包括對大尺寸芯片的拼接光刻和虛擬曝光場的曝光；測量得到第二層曝光的...該專利屬于上海集成電路研發中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海集成電路研發中心有限公司授權不得商用。
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