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本發明提出一種漂移區的形成方法，在半導體襯底上形成柵極，再涂覆光刻膠層，對所述光刻膠層進行顯影、曝光處理后，先對柵極兩側暴露出的柵極介質層進行刻蝕，保留一部分柵極介質層，再直接對剩余的柵極介質層以及其下的半導體襯底進行離子注入形成漂移區，從...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明提出一種漂移區的形成方法，在半導體襯底上形成柵極，再涂覆光刻膠層，對所述光刻膠層進行顯影、曝光處理后，先對柵極兩側暴露出的柵極介質層進行刻蝕，保留一部分柵極介質層，再直接對剩余的柵極介質層以及其下的半導體襯底進行離子注入形成漂移區，從...