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本發明公開了一種高壓二極管芯片合金工藝，將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊通過高頻合金爐進行一次合金，一次合金時，在鍍鎳擴散片的最外層覆蓋低溫焊片，使焊片有效保護最外層鍍鎳片，防止高溫氧化；二次合金時，用低溫焊片置于一次合金半成品硅疊最外層，...
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