一種高壓二極管芯片合金工藝制造技術

本發明專利技術公開了一種高壓二極管芯片合金工藝，將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊通過高頻合金爐進行一次合金，一次合金時，在鍍鎳擴散片的最外層覆蓋低溫焊片，使焊片有效保護最外層鍍鎳片，防止高溫氧化；二次合金時，用低溫焊片置于一次合金半成品硅疊最外層，使低溫焊片之間進行有效融合，確保焊接質量，避免鍍鎳芯片再鍍金過程中引入劇毒物品氰化金鉀，提高產品制造過程的安全性，同時極大降低產品成本。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種高壓二極管芯片合金工藝。
技術介紹
在高壓二極管芯片加工時，需要對芯片表面鍍一層貴金屬金，增加芯片與焊料的浸潤性。通常，采用的處理方法如化學鍍金，化學鍍是一種新型的金屬表面處理技術，該技術工藝簡便、快捷。但是，化學鍍金過程，易引入劇毒性物品氰化金鉀，造成生產過程的不安全。同時，金的價格昂貴，鍍金后使產品的成本大幅提升
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種生產安全、成本較低的高壓二極管芯片合金工藝。為了解決上述技術問題，本專利技術采用的技術方案為一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于包括以下步驟 (1)將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片的另一面各放置一片低溫焊片； (2)將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片與鍍鎳芯片形成良好的合金，將低溫焊片完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片氧化； (3)在上述一次合金半產品兩面各放置一片低溫焊片，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，使低溫焊片與一次合金半產品形成良好合金。優選地，步驟(I)中所述高溫焊片厚度為50ιιπΓ 00ιιπι，液相線305°C，所述低溫焊片厚度為30unT80um，液相線280°C。優選地，步驟(2)中所述合金加熱條件為熔化深度300unT600um，轉換功率359^50%。優選地,步驟(3)中所述低溫焊片厚度為80unTl20um,液相線280°C ;所述二次合金加熱條件為熔化深度50unT90um，轉換功率15% 35%。本專利技術的有益效果如下 1.本專利技術直接使用鍍鎳芯片，與焊片結合使用得到高壓二極管芯片，避免使用化學鍍金，降低安全風險，并能夠節約制作成本； 2.通過調節熔化深度和轉換功率，及在一次合金最外層使用低溫焊片，防止一次合金過程中鍍鎳片被氧化，保證鍍鎳擴散片與焊片形成良好合金，保證產品質量。附圖說明圖I為本專利技術一次合金半成品結構示意圖。圖2為本專利技術二次合金產品結構示意圖。圖中，I為低溫焊片，2為高溫焊片，3為鍍鎳芯片，4為一次合金半成品，5為低溫焊片。具體實施例方式為了使公眾能充分了解本專利技術的技術實質和有益效果，申請人將在下面結合附圖對本專利技術的具體實施方式詳細描述，但申請人對實施例的描述不是對技術方案的限制，任何依據本專利技術構思作形式而非實質的變化都應當視為本專利技術的保護范圍。如圖1、2所示，為本專利技術一次合金半成品和二次合金產品結構示意圖，包括低溫焊片1，高溫焊片2，鍍鎳芯片3，一次合金半成品4，低溫焊片5。一種高壓二極管芯片合金工藝，包括以下步驟 (1)將鍍鎳芯片3與高溫焊片2逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片3的另一面各放置一片低溫焊片，如圖I所示低溫焊片I厚度為30ιιπΓ80ιιπι，液相線280°C，高溫焊片2厚度為 50um 100um,液相線 305°C ； (2)將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片2與鍍鎳芯片3形成良好的合金，熔化深度300unT600um，轉換功率35°/Γ50%，將低溫焊片I完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片3氧化，； (3)在上述一次合金完成半產品4兩面各放置一片低溫焊片5，低溫焊片5厚度為80unTl20um，液相線280°C，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，熔化深度50unT90um，轉換功率15°/Γ35%，使低溫焊片5與一次合金半產品4形成良好合金。權利要求1.一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于包括以下步驟 (1)將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片的另一面各放置一片低溫焊片； (2)將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片與鍍鎳芯片形成良好的合金，將低溫焊片完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片氧化； (3)在上述一次合金半產品兩面各放置一片低溫焊片，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，使低溫焊片與一次合金半產品形成良好合金。2.根據權利要求I所述的一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于步驟(I)中所述高溫焊片厚度為50unTl00um，液相線305°C，所述低溫焊片厚度為30unT80um，液相線280。。。3.根據權利要求I所述的一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于步驟(2)中所述合金加熱條件為熔化深度300unT600um，轉換功率35% 50%。4.根據權利要求I所述的一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于步驟(3)中所述低溫焊片厚度為80unTl20um，液相線280°C ;所述二次合金加熱條件為熔化深度50unT90um，轉換功率 15% 35%。全文摘要本專利技術公開了一種高壓二極管芯片合金工藝，將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊通過高頻合金爐進行一次合金，一次合金時，在鍍鎳擴散片的最外層覆蓋低溫焊片，使焊片有效保護最外層鍍鎳片，防止高溫氧化；二次合金時，用低溫焊片置于一次合金半成品硅疊最外層，使低溫焊片之間進行有效融合，確保焊接質量，避免鍍鎳芯片再鍍金過程中引入劇毒物品氰化金鉀，提高產品制造過程的安全性，同時極大降低產品成本。文檔編號H01L21/60GK102945810SQ201210394408公開日2013年2月27日 申請日期2012年10月17日 優先權日2012年10月17日專利技術者黃麗鳳 申請人:如皋市大昌電子有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于：包括以下步驟：（1）將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片的另一面各放置一片低溫焊片；（2）將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片與鍍鎳芯片形成良好的合金，將低溫焊片完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片氧化；（3）在上述一次合金半產品兩面各放置一片低溫焊片，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，使低溫焊片與一次合金半產品形成良好合金。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃麗鳳，
申請(專利權)人：如皋市大昌電子有限公司，
類型：發明
國別省市：