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本發明提供一種提升接觸電阻均勻性的方法，包括：提供形成有層間介質層的晶圓；在所述層間介質層上形成硬掩膜層；研磨所述硬掩膜層和層間介質層，至層間介質層達到所需厚度。由于硬掩膜層保護作用，層間介質層較薄的部位不會被研磨液和研磨墊的作用消耗，得到...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種提升接觸電阻均勻性的方法，包括：提供形成有層間介質層的晶圓；在所述層間介質層上形成硬掩膜層；研磨所述硬掩膜層和層間介質層，至層間介質層達到所需厚度。由于硬掩膜層保護作用，層間介質層較薄的部位不會被研磨液和研磨墊的作用消耗，得到...