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本發(fā)明涉及一種水平結(jié)構(gòu)的LED芯片，正裝或倒裝的LED芯片及GaN層、n-GaN層和p-GaN層上涂覆一層透明SiO2絕緣層，并在n-GaN和p-GaN層上分別鍍上電極。正裝芯片或倒裝LED芯片的襯底為透明基板，藍(lán)寶石或碳化硅。透明SiO2...該專利屬于上海頓格電子貿(mào)易有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)上海頓格電子貿(mào)易有限公司授權(quán)不得商用。