本發明專利技術涉及一種水平結構的LED芯片，正裝或倒裝的LED芯片及GaN層、n-GaN層和p-GaN層上涂覆一層透明SiO2絕緣層，并在n-GaN和p-GaN層上分別鍍上電極。正裝芯片或倒裝LED芯片的襯底為透明基板，藍寶石或碳化硅。透明SiO2絕緣層的材料為硅膠，樹脂或者是非導電有機薄膜。本發明專利技術的水平結構的LED芯片使得LED芯片在封裝制造中，能夠像傳統貼片電阻、電容那樣，用固晶機或貼片機直接貼到基板或支架上，相比較于傳統的LED封裝制造，適用于更多的LED芯片的封裝方式、增加了LED芯片的封裝基板材料、提高了LED芯片的封裝效率、提升了LED芯片的封裝產能。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種LED芯片，特別涉及一種水平結構的LED芯片。
技術介紹
LED是發光二極管(LED, Lighting emitted diode),是利用在電場作用下,PN結發光的固態發光器件。具有高壽命/環保/節能的特點，是綠色環保的新光源。LED技術日趨發展成熟，目前通常LED發白光是通過藍色芯片激發黃綠熒光粉，進行波長調和而產生出的白光，市場上大規模生產的暖白光效率達到120 lm/W,超過大部分傳統光源。一般而言，LED 是通過 MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金屬有機化合物化學氣相沉淀)在藍寶石襯底或碳化硅襯底上長出P型層、η型層以及ρ-η結發光層，然后通過點亮、切割、擴散顆粒、分等級等工藝做成不同尺寸的芯片，一般而言有10*10 mil, 10*23mil, 24*24 mil, 40*40 mil等尺寸，可以承受從10mA lA的恒流電流驅動。傳統的封裝是·將這些芯片固定在一個封裝支架上，通過金線焊接芯片的陰極和陽極，通入電流來驅動LED發出藍色單波長光，從而激發黃綠熒光粉形成白光。支架一般采用工程塑料或者是帶金屬熱沉的塑料，然后通過底部反射來增加其光萃取率，或者是通過硅膠，樹脂或玻璃成型或帶二次光學透鏡來改變內部材料的折射率，從而增加其出光。傳統的封裝方式，對于LED芯片的光利用率相當低，一般來講，LED芯片背面側面發出的光經過反射/折射之后，其光利用率不超過40%，而LED芯片在背面側面發出的光占其整個芯片出光的60%，意味著接近有40%的光是被浪費掉的。另外傳統的熒光粉點膠工藝，因為熒光粉貼近溫度較高的芯片發熱源，從而導致熒光粉效率降低，也會影響出光效果。出光效率的降低則意味著發熱量的增加，從而對電子元器件的可靠性產生影響，這都是相互影響的結果。由于LED芯片通過封裝成LED組件，然后在分別焊接在鋁基板上，配上適合的驅動電源和結構殼體，最后做成整燈進行銷售。這中間有過多的環節造成效率和成本的浪費。因此，基于簡化的目的，通過設計一種最簡單的封裝結構，提高整體系統出光效率并降低成本。
技術實現思路
本專利技術的目的是為了克服LED芯片封裝制造中由于現有LED芯片設計使LED芯片制造效率低的缺點，提供一種電極高度相同或相近的水平結構LED的芯片。為此，本專利技術的技術方案是一種水平結構的LED芯片，包括正裝結構或倒裝結構的LED芯片及GaN層、n-GaN層和p-GaN基層，正裝或倒裝的LED芯片及GaN層、n_GaN層和P-GaN層上涂覆一層透明Si02絕緣層，并在n-GaN和p-GaN層上分別鍍上電極。正裝芯片或倒裝LED芯片的襯底為透明基板，藍寶石或碳化硅。透明Si02絕緣層的材料為硅膠，樹脂或者是非導電有機薄膜。本專利技術的有益效果是本專利技術的水平結構的LED芯片使得LED芯片在封裝制造中，能夠像傳統貼片電阻、電容那樣，用固晶機或貼片機直接貼到基板或支架上，相比較于傳統的LED封裝制造，適用于更多的LED芯片的封裝方式、增加了 LED芯片的封裝基板材料、提高了 LED芯片的封裝效率、提升了 LED芯片的封裝產能。附圖說明圖I是本專利技術的結構示意圖。具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本專利技術做出進一步說明。如圖I所示，本專利技術的水平結構的LED芯片，包括正裝結構或倒裝結構的LED芯片及GaN層、n-GaN層5和p-GaN層2、透明Si02絕緣層3、正、負電極I，4等 正裝或倒裝LED芯片的GaN層、n-GaN層5和p-GaN層2上涂覆一層透明Si02絕緣層 3，并在n-GaN層5和p-GaN層2上分別鍍上電極。正裝芯片或倒裝LED芯片芯片的襯底為透明基板，藍寶石6 (AL203)或碳化硅(SiC)0透明Si02絕緣層的材料為，硅膠，樹脂或者是非導電有機薄膜。如圖I所示，水平結構LED芯片在藍寶石6或碳化硅襯底上生長n_GaN層5(包括GaN緩沖層、GaN非摻雜層)，在n_GaN層5上生長p-GaN層2，在p-GaN層2上生長透明Si02絕緣材料層3，硅膠，樹脂或者是非導電有機薄膜。最后生長正電極I和負電極4電極(金、銀、銅及合金材料)。權利要求1.一種水平結構的LED芯片，包括正裝結構或倒裝結構的LED芯片及GaN層、n-GaN層(5)和p-GaN層(2)，其特征在于所述正裝結構或倒裝結構的LED芯片及GaN層、n_GaN層(5)和p-GaN層(6)上涂覆一層透明Si02絕緣層(3)，并在η-GaN層(5)和ρ-GaN層(2)上分別鍍上電極。2.根據權利要求I所述的水平結構的LED芯片，其特征在于所述正裝芯片或倒裝LED芯片的襯底為透明基板，藍寶石(6)或碳化硅。3.根據權利要求I所述的水平結構的LED芯片，其特征在于所述透明Si02絕緣層(3)的材料為硅膠，樹脂或者是非導電有機薄膜。全文摘要本專利技術涉及一種水平結構的LED芯片，正裝或倒裝的LED芯片及GaN層、n-GaN層和p-GaN層上涂覆一層透明SiO2絕緣層，并在n-GaN和p-GaN層上分別鍍上電極。正裝芯片或倒裝LED芯片的襯底為透明基板，藍寶石或碳化硅。透明SiO2絕緣層的材料為硅膠，樹脂或者是非導電有機薄膜。本專利技術的水平結構的LED芯片使得LED芯片在封裝制造中，能夠像傳統貼片電阻、電容那樣，用固晶機或貼片機直接貼到基板或支架上，相比較于傳統的LED封裝制造，適用于更多的LED芯片的封裝方式、增加了LED芯片的封裝基板材料、提高了LED芯片的封裝效率、提升了LED芯片的封裝產能。文檔編號H01L33/38GK102945906SQ201210516970公開日2013年2月27日 申請日期2012年12月6日 優先權日2012年12月6日專利技術者瞿崧, 文國軍, 嚴華鋒 申請人:上海頓格電子貿易有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種水平結構的LED芯片，包括正裝結構或倒裝結構的LED芯片及GaN層、n?GaN層（5）和p?GaN層（2），其特征在于：所述正裝結構或倒裝結構的LED芯片及GaN層、n?GaN層（5）和p?GaN層（6）上涂覆一層透明SiO2絕緣層（3），?并在n?GaN層（5）和p?GaN層（2）上分別鍍上電極。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：瞿崧，文國軍，嚴華鋒，
申請(專利權)人：上海頓格電子貿易有限公司，
類型：發明
國別省市：
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