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本發明公開了一種光學臨近效應修正在線監控的方法，包括步驟：收集產品的數據并進行統計分析；選擇出需要監控的關鍵尺寸和空間周期；在硅片上添加監控圖形，監控圖形位于所述硅片的劃片槽區域、或者芯片區域內部；通過監控所述監控圖形來監控光學臨近效應修正...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種光學臨近效應修正在線監控的方法，包括步驟：收集產品的數據并進行統計分析；選擇出需要監控的關鍵尺寸和空間周期；在硅片上添加監控圖形，監控圖形位于所述硅片的劃片槽區域、或者芯片區域內部；通過監控所述監控圖形來監控光學臨近效應修正...