光學臨近效應修正在線監控的方法技術

本發明專利技術公開了一種光學臨近效應修正在線監控的方法，包括步驟：收集產品的數據并進行統計分析；選擇出需要監控的關鍵尺寸和空間周期；在硅片上添加監控圖形，監控圖形位于所述硅片的劃片槽區域、或者芯片區域內部；通過監控所述監控圖形來監控光學臨近效應修正程序的預測的準確性。本發明專利技術能良好的監控光學臨近效應修正程序對各種不同產品的圖形的預測的準確性，從而能很方便的提高產品的良率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種半導體制集成電路工藝方法，尤其是涉及一種。
技術介紹
現有技術中，光學臨近效應修正(OPC, Optical Proximity Correction)技術作為一種分辨率增強技術(RET, Resolution Enhancement Technology)普遍應用于 0. 13um 技術節點以上的關鍵層工藝，且普遍使用基于模型的OPC (Model based 0PC)方法。這種方法對于模型范圍內的各種圖形有比較好的預測性，能夠很大程度的提高光刻的工藝窗口。但是隨著半導體工藝尺寸的日益縮小，圖形的設計規則(design rule)越來越復雜，而OPC技術的修正也越來越復雜。在OPC修正過程中，最小關鍵尺寸(criticaldemension,⑶)和最小空間周期(Pitch)處的OPC表現不一定是影響最終良率的位置。現有技術中，同一技術平臺的OPC程序通常要應用于多種不同的產品中，產品不同時，結果也可能差異明顯，例如，同一設計規則，最小線寬CD即最小關鍵尺寸相同，但當最小關鍵尺寸對應的圖形的長度不同時，工藝窗口大小也不同，最終良率也可能會不同；再比如，同一設計規則，最小線寬CD相同，最小關鍵尺寸對應的圖形的長度也相同，但當所述最小關鍵尺寸對應的圖形放置方向不同時如放置于X方向、或Y方向、或者45度方向時，最終的結果也會不同。由上可知，現有技術中將同一技術平臺的OPC程序應用于多種不同的產品時會出現多種不同的結果，最終會影響到產品的良率。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種，能良好的監控光學臨近效應修正程序對各種不同產品的圖形的預測的準確性，從而能很方便的提聞廣品的良率。為解決上述技術問題，本專利技術提供一種，包括如下步驟步驟一、收集產品的數據，所述產品的設計規則處的關鍵尺寸為最小關鍵尺寸、設計規則處的空間周期為最小空間周期，所述產品的數據包括所有大于等于所述最小關鍵尺寸的關鍵尺寸、和所有大于等于所述最小空間周期的空間周期，各所述關鍵尺寸和各所述空間周期都分別有對應的取值；按照所述取值的不同分別對所有的所述關鍵尺寸和所有的所述空間周期進行統計分析。所有大于等于所述最小空間周期的空間周期中還包括禁止光學空間周期(forbidden pitch),它主要出現在I. I I. 4倍的曝光波長/數值孔徑的范圍內。步驟二、根據步驟一的統計分析結果，選擇出需要監控的所述關鍵尺寸和所述空間周期。步驟三、在要形成所述產品的硅片上添加監控圖形，所述監控圖形用于監控步驟二中選定的需要監控的所述關鍵尺寸和所述空間周期；所述監控圖形位于所述硅片的劃片槽區域、或者位于所述硅片的形成所述產品的芯片區域內部。步驟四、通過監控所述監控圖形來監控光學臨近效應修正程序對所述產品的圖形的預測的準確性。進一步的改進是，步驟一中對所有的所述關鍵尺寸進行統計分析的方法為統計出各種不同取值所對應的所述關鍵尺寸的出現的次數，并制定所述關鍵尺寸的統計圖；所述關鍵尺寸的統計圖的橫坐標取所述關鍵尺寸的不同取值，所述關鍵尺寸的統計圖的縱坐標取各取值對應的所述關鍵尺寸的出現的次數。步驟一中對所有的所述空間周期進行統計分析的方法為統計出各種不同取值所對應的所述空間周期的出現的次數，并制定所述空間周期的統計圖；所述空間周期的統計圖的橫坐標取所述空間周期的不同取值，所述空間周期的統計圖的縱坐標取各取值對應的所述空間周期的出現的次數。進一步的改進是，步驟二中對需要監控的所述關鍵尺寸和所述空間周期分別進行選擇。其中，選擇出需要監控的所述關鍵尺寸的方法為根據所述關鍵尺寸的分布次數進行選擇，當一個取值所對應的所述關鍵尺寸出現的次數大于等于所有統計到的所述關鍵尺寸出現的總次數的O. 1%時，則選擇該取值所對應的所述關鍵尺寸作為需要監控的所述關鍵尺寸。選擇出需要監控的所述空間周期的方法為根據所述空間周期的分布次數進行選擇，當一個取值所對應的所述空間周期出現的次數大于等于所有統計到的所述空間周期出現的總次數的O. I %時，則選擇該取值所對應的所述空間周期作為需要監控的所述空間周期。進一步的改進是，步驟二中是先選擇出需要監控的所述關鍵尺寸，再選擇出需要監控的所述空間周期。選擇出需要監控的所述關鍵尺寸的方法為根據所述關鍵尺寸的分布次數進行選擇，當一個取值所對應的所述關鍵尺寸出現的次數大于等于所有統計到的所述關鍵尺寸出現的總次數的O. I %時，則選擇該取值所對應的所述關鍵尺寸作為需要監控的所述關鍵尺寸。選擇出需要監控的所述空間周期的方法為將取值為所述需要監控的所述關鍵尺寸的取值的6倍以上的所述空間周期、以及禁止光學空間周期即取值為I. I I. 4倍的曝光波長/數值孔徑的空間周期。、以及出現次數大于等于所述需要監控的所述關鍵尺寸的出現次數的5%的所述空間周期作為所述需要監控的所述空間周期。進一步的改進是，步驟二中是先選擇出需要監控的所述空間周期，再選擇出需要監控的所述關鍵尺寸。選擇出需要監控的所述空間周期的方法為根據所述空間周期的分布次數進行選擇，當一個取值所對應的所述空間周期出現的次數大于等于所有統計到的所述空間周期出現的總次數的O. 1%時，則選擇該取值所對應的所述空間周期作為需要監控的所述空間周期。選擇出需要監控的所述關鍵尺寸的方法為將取值為所述需要監控的所述空間周期的取值的1/6以下的所述關鍵尺寸、以及出現次數大于等于所述需要監控的所述空間周期的出現次數的5%的所述關鍵尺寸作為所述需要監控的所述關鍵尺寸。進一步的改進是，步驟一中進行的統計分析的工具為設計規則檢查工具(designrule check, DRC);或其它電子設計自動化工具(Electronic Design Automation, EDA),例如 Anchor (諳科公司)的 HPA(hot point analysis)軟件。本專利技術通過在要形成產品的硅片中設定和產品相對應的監測圖形，通過對監控圖形的監控來監控光學臨近效應修正程序對產品的圖形的預測的準確性。所以本專利技術很方便的應用于各種不同的產品中，從而能良好的監控光學臨近效應修正程序對各種不同產品的圖形的預測的準確性，當光學臨近效應修正程序的預測不準確時，能夠及時對光學臨近效應修正程序參數進行調整，從而能很方便的提高產品的良率。附圖說明下面結合附圖和具體實施方式對本專利技術作進一步詳細的說明圖I是本專利技術實施例方法的流程圖；圖2是本專利技術實施例方法中的空間周期的統計圖。具體實施例方式如圖I所示，是本專利技術實施例的流程圖。本專利技術實施例，包括如下步驟步驟一、采用Mentor的DRC工具、或其它EDA工具例如Anchor (諳科公司)的HPA(hot point analysis)軟件,收集產品的數據,所述產品的設計規則處的關鍵尺寸為最小關鍵尺寸、設計規則處的空間周期為最小空間周期，所述產品的數據包括所有大于等于所述最小關鍵尺寸的關鍵尺寸、和所有大于等于所述最小空間周期的空間周期，各所述關鍵尺寸和各所述空間周期都分別有對應的取值；按照所述取值的不同分別對所有的所述關鍵尺寸和所有的所述空間周期進行統計分析。對所有的所述關鍵尺寸進行統計分析的方法為統計出各種不同取值所對應的所述關鍵尺寸的出現的次數，并制定所述關鍵尺寸的統計圖；所述關鍵尺寸的統本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光學臨近效應修正在線監控的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一、收集產品的數據，所述產品的設計規則處的關鍵尺寸為最小關鍵尺寸、設計規則處的空間周期為最小空間周期，所述產品的數據包括所有大于等于所述最小關鍵尺寸的關鍵尺寸、和所有大于等于所述最小空間周期的空間周期，各所述關鍵尺寸和各所述空間周期都分別有對應的取值；按照所述取值的不同分別對所有的所述關鍵尺寸和所有的所述空間周期進行統計分析；步驟二、根據步驟一的統計分析結果，選擇出需要監控的所述關鍵尺寸和所述空間周期；步驟三、在要形成所述產品的硅片上添加監控圖形，所述監控圖形用于監控步驟二中選定的需要監控的所述關鍵尺寸和所述空間周期；所述監控圖形位于所述硅片的劃片槽區域、或者位于所述硅片的形成所述產品的芯片區域內部；步驟四、通過監控所述監控圖形來監控光學臨近效應修正程序對所述產品的圖形的預測的準確性。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳福成，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發明
國別省市：