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本發明提供一種當對形成在基板上的絕緣膜進行蝕刻時能夠防止在絕緣膜的底層產生氧等離子體的壞影響的蝕刻方法。本發明的蝕刻方法包括：第一蝕刻工序，使絕緣膜（222）暴露于被等離子體化的處理氣體中，對絕緣膜（222）進行蝕刻，直到厚度方向的中途；沉...
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