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一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：包括一真空反應腔；一基片架，設于真空反應腔內，用以放置基片；一基片測溫模塊，設于基片架上，用以測量基片溫度；一氣體導入模塊，與真空反應腔連接并與基片架相對，用以向真空反應腔內輸送N2H4、N...該專利屬于中山市創科科研技術服務有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中山市創科科研技術服務有限公司授權不得商用。
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一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于：包括一真空反應腔；一基片架，設于真空反應腔內，用以放置基片；一基片測溫模塊，設于基片架上，用以測量基片溫度；一氣體導入模塊，與真空反應腔連接并與基片架相對，用以向真空反應腔內輸送N2H4、N...