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本發明實施例提供了一種多柵器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括氧化層和形成在所述氧化層表面的半導體薄膜；形成位于所述半導體薄膜表面的圖案層，所述圖案層具有第一開口；形成位于所述第一開口的側壁的側墻；去除所述圖案層；在去除所述圖案層后...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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