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本發明提供一種PMOS晶體管結構及其制造方法，先通過在有源區的溝道區域形成埋置碳硅層，增大了溝道區域的應力，提高了PMOS晶體管載流子遷移率；再通過在柵極結構兩側的有源區中形成埋置鍺硅層，即形成了具有埋置鍺硅層的源漏區，進一步地增大了溝道區...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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