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本發(fā)明提供一種PMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，在源區(qū)和漏區(qū)形成埋置SiGe層以增大溝道區(qū)域的應(yīng)力的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步通過在溝道區(qū)域形成埋置碳硅層，進(jìn)而增大了溝道區(qū)域的應(yīng)力，提高了PMOS晶體管載流子遷移率；同時，埋置碳硅層還阻擋源漏區(qū)后續(xù)工藝中...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。