溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種SiC結勢壘肖特基二極管及其制作方法，該SiC結勢壘肖特基二極管包括：N+-SiC襯底；形成于該N+-SiC襯底之上的同型N--SiC外延層；形成于該N--SiC外延層上的肖特基金屬接觸；形成于該肖特基金屬接觸之下N-區域中...該專利屬于中國科學院微電子研究所;株洲南車時代電氣股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所;株洲南車時代電氣股份有限公司授權不得商用。