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本發明提供一種三維納米結構陣列的制備方法，包括以下步驟：提供一襯底；在所述襯底的表面形成一掩模層；納米壓印所述掩模層，使所述掩模層表面形成并排延伸的多個條形凸起結構，相鄰的條形凸起結構之間形成溝槽；刻蝕所述掩模層，使對應掩模層溝槽位置的襯底...該專利屬于清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種三維納米結構陣列的制備方法，包括以下步驟：提供一襯底；在所述襯底的表面形成一掩模層；納米壓印所述掩模層，使所述掩模層表面形成并排延伸的多個條形凸起結構，相鄰的條形凸起結構之間形成溝槽；刻蝕所述掩模層，使對應掩模層溝槽位置的襯底...